UF3C120080K4S 单 FET、MOSFET_一河电子_One River_集成电路_电容器_电阻器_二极管_三极管_传感器_电感器

类型	描述
制造商	UnitedSiC (Qorvo)
系列	-
包裹	管子
产品状态	ACTIVE
包装/箱	TO-247-4
安装类型	Through Hole
工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
技术	SiCFET (Cascode SiCJFET)
场效应管类型	N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	33A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs	100mOhm @ 20A, 12V
功耗（最大）	254.2W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id	6V @ 10mA
供应商设备包	TO-247-4
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	12V
Vgs（最大）	±25V
漏源电压 (Vdss)	1200 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs	43 nC @ 12 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds	1500 pF @ 100 V