TW015Z120C,S1F 单 FET、MOSFET_一河电子_One River_集成电路_电容器_电阻器_二极管_三极管_传感器_电感器

Specifications

PDF1

类型	描述
制造商	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
系列	-
包裹	管子
产品状态	ACTIVE
包装/箱	TO-247-4
安装类型	Through Hole
工作温度	175°C
技术	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
场效应管类型	N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs	21mOhm @ 50A, 18V
功耗（最大）	431W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id	5V @ 11.7mA
供应商设备包	TO-247-4L(X)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	18V
Vgs（最大）	+25V, -10V
漏源电压 (Vdss)	1200 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs	158 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds	6000 pF @ 800 V