TPD3215M FET、MOSFET 阵列_一河电子_One River_集成电路_电容器_电阻器_二极管_三极管_传感器_电感器

类型	描述
制造商	Transphorm
系列	-
包裹	散装
产品状态	OBSOLETE
包装/箱	Module
安装类型	Through Hole
配置	2 N-Channel (Half Bridge)
工作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
技术	GaNFET (Gallium Nitride)
功率 - 最大	470W
漏源电压 (Vdss)	600V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	70A (Tc)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds	2260pF @ 100V
Rds On（最大）@Id、Vgs	34mOhm @ 30A, 8V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs	28nC @ 8V
供应商设备包	Module