TP65H480G4JSGB-TR
TP65H480G4JSGB-TR
Part number:
1707-TP65H480G4JSGB-TR-ND
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
Transphorm
类型
GANFET N-CH 650
封装
包装
卷带式 (TR)
RoHS:
YES
数量
4076
$1.3200
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
1
$2.9200
$2.9200
10
$2.4300
$24.3000
100
$1.9300
$193.0000
500
$1.6300
$815.0000
1000
$1.3900
$1,390.0000
2000
$1.3200
$2,640.0000
4000
$1.3200
$5,280.0000
TP65H480G4JSGB-TR NEWS
Specifications
PDF1
类型描述
制造商Transphorm
系列SuperGaN®
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerTDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C3.6A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs560mOhm @ 3A, 6V
功耗（最大）13.2W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id2.8V @ 500µA
供应商设备包8-PQFN (5x6)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）6V
Vgs（最大）±10V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs5 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds414 pF @ 400 V
+86-755-8417 5709
lana@oneriverhk.com