TP65H480G4JSG-TR 单 FET、MOSFET_一河电子_One River_集成电路_电容器_电阻器_二极管_三极管_传感器_电感器

Specifications

PDF1

类型	描述
制造商	Transphorm
系列	-
包裹	卷带式 (TR)
产品状态	ACTIVE
包装/箱	3-PowerTDFN
安装类型	Surface Mount
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
技术	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
场效应管类型	N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	3.6A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs	560mOhm @ 3.4A, 8V
功耗（最大）	13.2W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id	2.8V @ 500µA
供应商设备包	3-PQFN (5x6)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	8V
Vgs（最大）	±18V
漏源电压 (Vdss)	650 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs	9 nC @ 8 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds	760 pF @ 400 V