TP65H150G4LSG-TR
TP65H150G4LSG-TR
Part number:
1707-TP65H150G4LSG-TR-ND
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
Transphorm
类型
650 V 13 A GAN
封装
包装
卷带式 (TR)
RoHS:
NO
数量
6037
$2.3500
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
1
$4.8200
$4.8200
10
$4.0500
$40.5000
100
$3.2700
$327.0000
500
$2.9100
$1,455.0000
1000
$2.4900
$2,490.0000
3000
$2.3500
$7,050.0000
TP65H150G4LSG-TR NEWS
Specifications
PDF1
类型描述
制造商Transphorm
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱3-PowerTDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C13A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs180mOhm @ 8.5A, 10V
功耗（最大）52W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id4.8V @ 500µA
供应商设备包3-PQFN (8x8)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）10V
Vgs（最大）±20V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs8 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds598 pF @ 400 V
+86-755-8417 5709
lana@oneriverhk.com