TP65H070LSG 单 FET、MOSFET_一河电子_One River_集成电路_电容器_电阻器_二极管_三极管_传感器_电感器

Specifications

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类型	描述
制造商	Transphorm
系列	TP65H070L
包裹	管子
产品状态	DISCONTINUED
包装/箱	3-PowerDFN
安装类型	Surface Mount
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
技术	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
场效应管类型	N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	25A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs	85mOhm @ 16A, 10V
功耗（最大）	96W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id	4.8V @ 700µA
供应商设备包	3-PQFN (8x8)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	10V
Vgs（最大）	±20V
漏源电压 (Vdss)	650 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs	9.3 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds	600 pF @ 400 V