TP65H070G4QS-TR
TP65H070G4QS-TR
Part number:
1707-TP65H070G4QS-TR-ND
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
Transphorm
类型
650 V 29 A GAN
封装
包装
卷带式 (TR)
RoHS:
NO
数量
150
$8.6100
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
1
$8.6100
$8.6100
10
$7.3800
$73.8000
100
$6.1500
$615.0000
500
$5.4200
$2,710.0000
1000
$4.8800
$4,880.0000
2000
$4.5700
$9,140.0000
TP65H070G4QS-TR NEWS
Specifications
PDF1
类型描述
制造商Transphorm
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerSFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C29A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs85mOhm @ 16A, 10V
功耗（最大）96W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id4.8V @ 700µA
供应商设备包TOLL
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）10V
Vgs（最大）±20V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs8.4 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds600 pF @ 400 V
+86-755-8417 5709
lana@oneriverhk.com