TP65H070G4LSGB-TR
TP65H070G4LSGB-TR
Part number:
1707-TP65H070G4LSGB-TR-ND
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
Transphorm
类型
GANFET N-CH 650
封装
包装
卷带式 (TR)
RoHS:
NO
数量
3131
$5.7400
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
1
$10.7900
$10.7900
10
$9.2500
$92.5000
100
$7.7100
$771.0000
500
$6.8000
$3,400.0000
1000
$6.1200
$6,120.0000
3000
$5.7400
$17,220.0000
TP65H070G4LSGB-TR NEWS
Specifications
PDF1
类型描述
制造商Transphorm
系列SuperGaN®
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerTDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C29A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs85mOhm @ 16A, 10V
功耗（最大）96W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id4.6V @ 700µA
供应商设备包8-PQFN (8x8)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）10V
Vgs（最大）±20V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs8.4 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds600 pF @ 400 V
+86-755-8417 5709
lana@oneriverhk.com