TP65H050G4YS
TP65H050G4YS
Part number:
1707-TP65H050G4YS-ND
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
Transphorm
类型
650 V 35 A GAN
封装
包装
管子
RoHS:
NO
数量
552
$9.9100
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
1
$14.3600
$14.3600
10
$12.6500
$126.5000
450
$9.9100
$4,459.5000
TP65H050G4YS NEWS
Specifications
PDF1
类型描述
制造商Transphorm
系列SuperGaN®
包裹管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-247-4
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C35A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs60mOhm @ 22A, 10V
功耗（最大）132W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id4.8V @ 700µA
供应商设备包TO-247-4L
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）10V
Vgs（最大）±20V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs24 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds1000 pF @ 400 V
+86-755-8417 5709
lana@oneriverhk.com