TP44100SG
TP44100SG
Part number:
2713-TP44100SGTR-ND
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
Tagore Technology
类型
GAN FET HEMT 65
封装
包装
卷带式 (TR)
RoHS:
YES
数量
3119
$3.3000
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
1
$5.5000
$5.5000
10
$4.7500
$47.5000
100
$4.1300
$413.0000
500
$3.3000
$1,650.0000
3000
$3.3000
$9,900.0000
TP44100SG NEWS
Specifications
PDF1
类型描述
制造商Tagore Technology
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱22-PowerVFQFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C19A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs118mOhm @ 500mA, 6V
Vgs(th)（最大值）@Id2.5V @ 11mA
供应商设备包22-QFN (5x7)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）0V, 6V
Vgs（最大）±20V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs3 nC @ 6 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds110 pF @ 400 V
+86-755-8417 5709
lana@oneriverhk.com