TO252MDD4N65DS
TO252MDD4N65DS
Part number:
3372-TO252MDD4N65DSTR-ND
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
NextGen Components
类型
MOSFET TO-252 N
封装
包装
卷带式 (TR)
RoHS:
NO
数量
12650
$0.7200
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
2500
$0.7200
$1,800.0000
TO252MDD4N65DS NEWS
Specifications
PDF1
类型描述
制造商NextGen Components
系列TO-252
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C4A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs2.8Ohm @ 2A, 10V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）10V
Vgs（最大）±30V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs12 nC @ 10 V
+86-755-8417 5709
lana@oneriverhk.com