SSM6K818R,LF 单 FET、MOSFET_一河电子_One River_集成电路_电容器_电阻器_二极管_三极管_传感器_电感器

Specifications

类型	描述
制造商	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
系列	-
包裹	卷带式 (TR)
产品状态	ACTIVE
包装/箱	6-SMD, Flat Leads
安装类型	Surface Mount
工作温度	150°C
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型	N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	15A (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs	12mOhm @ 4A, 4.5V
功耗（最大）	1.5W (Ta)
Vgs(th)（最大值）@Id	2.1V @ 100µA
供应商设备包	6-TSOP-F
年级	Automotive
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	4.5V, 10V
Vgs（最大）	±20V
漏源电压 (Vdss)	30 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs	7.5 nC @ 4.5 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds	1130 pF @ 15 V
资质	AEC-Q101