SQJQ184E-T1_GE3
SQJQ184E-T1_GE3
Part number:
742-SQJQ184E-T1_GE3TR-ND
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
Vishay / Siliconix
类型
AUTOMOTIVE N-CH
封装
包装
卷带式 (TR)
RoHS:
NO
数量
3189
$1.6600
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
1
$3.4200
$3.4200
10
$2.8700
$28.7000
100
$2.3200
$232.0000
500
$2.0600
$1,030.0000
1000
$1.7700
$1,770.0000
2000
$1.6600
$3,320.0000
6000
$1.6000
$9,600.0000
SQJQ184E-T1_GE3 NEWS
Specifications
PDF1
类型描述
制造商Vishay / Siliconix
系列TrenchFET®
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱PowerPAK® 8 x 8
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C430A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs1.4mOhm @ 20A, 10V
功耗（最大）600W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id3.5V @ 250µA
供应商设备包PowerPAK® 8 x 8
年级Automotive
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）10V
Vgs（最大）±20V
漏源电压 (Vdss)80 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs272 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds16010 pF @ 25 V
资质AEC-Q101
+86-755-8417 5709
lana@oneriverhk.com