SQJ110EP-T1_GE3
SQJ110EP-T1_GE3
Part number:
742-SQJ110EP-T1_GE3TR-ND
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
Vishay / Siliconix
类型
AUTOMOTIVE N-CH
封装
包装
卷带式 (TR)
RoHS:
NO
数量
150
$0.7500
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
1
$1.6600
$1.6600
10
$1.3800
$13.8000
100
$1.1000
$110.0000
500
$0.9300
$465.0000
1000
$0.7900
$790.0000
3000
$0.7500
$2,250.0000
6000
$0.7200
$4,320.0000
9000
$0.7000
$6,300.0000
SQJ110EP-T1_GE3 NEWS
Specifications
PDF1
类型描述
制造商Vishay / Siliconix
系列TrenchFET®
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱PowerPAK® SO-8
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C170A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs6.3mOhm @ 15A, 10V
功耗（最大）500W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id3.5V @ 250µA
供应商设备包PowerPAK® SO-8
年级Automotive
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）10V
Vgs（最大）±20V
漏源电压 (Vdss)100 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs113 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds6100 pF @ 25 V
资质AEC-Q101
+86-755-8417 5709
lana@oneriverhk.com