SIRA54ADP-T1-RE3
SIRA54ADP-T1-RE3
Part number:
742-SIRA54ADP-T1-RE3TR-ND
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
Vishay / Siliconix
类型
N-CHANNEL 40 V
封装
包装
卷带式 (TR)
RoHS:
YES
数量
6150
$0.8400
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
1
$1.8600
$1.8600
10
$1.5400
$15.4000
100
$1.2300
$123.0000
500
$1.0400
$520.0000
1000
$0.8800
$880.0000
3000
$0.8400
$2,520.0000
6000
$0.8100
$4,860.0000
9000
$0.7800
$7,020.0000
SIRA54ADP-T1-RE3 NEWS
Specifications
PDF1
类型描述
制造商Vishay / Siliconix
系列TrenchFET®
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱PowerPAK® SO-8
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C36.2A (Ta), 128A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs2.2mOhm @ 15A, 10V
功耗（最大）5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id2.5V @ 250µA
供应商设备包PowerPAK® SO-8
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）4.5V, 10V
Vgs（最大）+20V, -16V
漏源电压 (Vdss)40 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs70 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds3850 pF @ 20 V
+86-755-8417 5709
lana@oneriverhk.com