SIR184LDP-T1-RE3
SIR184LDP-T1-RE3
Part number:
742-SIR184LDP-T1-RE3TR-ND
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
Vishay / Siliconix
类型
N-CHANNEL 60 V
封装
包装
卷带式 (TR)
RoHS:
NO
数量
5733
$1.4700
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
1
$1.4700
$1.4700
10
$1.2100
$12.1000
100
$0.9400
$94.0000
500
$0.8000
$400.0000
1000
$0.6500
$650.0000
3000
$0.6100
$1,830.0000
6000
$0.5800
$3,480.0000
9000
$0.5500
$4,950.0000
SIR184LDP-T1-RE3 NEWS
Specifications
PDF1
类型描述
制造商Vishay / Siliconix
系列TrenchFET®
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱PowerPAK® SO-8
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C21.5A (Ta), 73A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs5.4mOhm @ 10A, 10V
功耗（最大）5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id3V @ 250µA
供应商设备包PowerPAK® SO-8
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）4.5V, 10V
Vgs（最大）±20V
漏源电压 (Vdss)60 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs41 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds1950 pF @ 30 V
+86-755-8417 5709
lana@oneriverhk.com