SIHK105N60E-T1-GE3
SIHK105N60E-T1-GE3
Part number:
742-SIHK105N60E-T1-GE3TR-ND
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
Vishay / Siliconix
类型
E SERIES POWER
封装
包装
卷带式 (TR)
RoHS:
NO
数量
2200
$2.6600
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
1
$5.4700
$5.4700
10
$4.5900
$45.9000
100
$3.7200
$372.0000
500
$3.3000
$1,650.0000
1000
$2.8300
$2,830.0000
2000
$2.6600
$5,320.0000
SIHK105N60E-T1-GE3 NEWS
Specifications
PDF1
类型描述
制造商Vishay / Siliconix
系列EF
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerBSFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C24A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs105mOhm @ 10A, 10V
功耗(最大)142W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id5V @ 250µA
供应商设备包PowerPAK®10 x 12
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±30V
漏源电压 (Vdss)600 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs51 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds2301 pF @ 100 V
+86-755-8417 5709