SIHB6N80AE-GE3
SIHB6N80AE-GE3
Part number:
742-SIHB6N80AE-GE3-ND
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
Vishay / Siliconix
类型
E SERIES POWER
封装
包装
管子
RoHS:
NO
数量
1190
$1.6000
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
1
$1.9900
$1.9900
50
$1.6000
$80.0000
100
$1.3200
$132.0000
500
$1.1100
$555.0000
1000
$0.9500
$950.0000
2000
$0.9000
$1,800.0000
5000
$0.8600
$4,300.0000
10000
$0.8400
$8,400.0000
SIHB6N80AE-GE3 NEWS
Specifications
PDF1
类型描述
制造商Vishay / Siliconix
系列E
包裹管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C5A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs950mOhm @ 2A, 10V
功耗（最大）62.5W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id4V @ 250µA
供应商设备包TO-263 (D2PAK)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）10V
Vgs（最大）±30V
漏源电压 (Vdss)800 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs22.5 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds422 pF @ 100 V
+86-755-8417 5709
lana@oneriverhk.com