SCT012H90G3AG 单 FET、MOSFET_一河电子_One River_集成电路_电容器_电阻器_二极管_三极管_传感器_电感器

Specifications

类型	描述
制造商	STMicroelectronics
系列	-
包裹	卷带式 (TR)
产品状态	ACTIVE
包装/箱	TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
安装类型	Surface Mount
工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
技术	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
场效应管类型	N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	110A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs	15.8mOhm @ 60A, 18V
功耗（最大）	625W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id	4.2V @ 10mA
供应商设备包	H2PAK-7
年级	Automotive
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	15V, 18V
Vgs（最大）	+18V, -5V
漏源电压 (Vdss)	900 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs	138 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds	3880 pF @ 600 V
资质	AEC-Q101