QS1200SCM36 单 FET、MOSFET_一河电子_One River_集成电路_电容器_电阻器_二极管_三极管_传感器_电感器

Specifications

PDF1

类型	描述
制造商	Quest Semi
系列	-
包裹	管子
产品状态	ACTIVE
包装/箱	TO-247-3
安装类型	Through Hole
工作温度	-55°C ~ 175°C
技术	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
场效应管类型	N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	36A
Rds On（最大）@Id、Vgs	100mOhm @ 20A, 20V
功耗（最大）	198W
Vgs(th)（最大值）@Id	3.8V @ 100µA
供应商设备包	PG-TO247-3
年级	Automotive
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	2.8V
Vgs（最大）	+25V, -10V
漏源电压 (Vdss)	1200 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs	60 nC @ 600 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds	1001 pF @ 800 V