NVBLS0D8N08XTXG
NVBLS0D8N08XTXG
Part number:
488-NVBLS0D8N08XTXGTR-ND
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
Sanyo Semiconductor/onsemi
类型
T10S 80V SG NCH
封装
包装
卷带式 (TR)
RoHS:
NO
数量
150
$3.6700
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
1
$6.9000
$6.9000
10
$5.9100
$59.1000
100
$4.9300
$493.0000
500
$4.3500
$2,175.0000
1000
$3.9100
$3,910.0000
2000
$3.6700
$7,340.0000
NVBLS0D8N08XTXG NEWS
Specifications
PDF1
类型描述
制造商Sanyo Semiconductor/onsemi
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerSFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C457A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs0.79mOhm @ 80A, 10V
功耗（最大）325W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id3.6V @ 720µA
供应商设备包8-HPSOF
年级Automotive
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）10V
Vgs（最大）±20V
漏源电压 (Vdss)80 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs174 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds12920 pF @ 40 V
资质AEC-Q101
+86-755-8417 5709
lana@oneriverhk.com