NSB8GTHM3/I
NSB8GTHM3/I
Part number:
112-NSB8GTHM3/ITR-ND
Product_Category
单二极管
制造商
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
类型
DIODE GEN PURP
封装
包装
卷带式 (TR)
RoHS:
YES
数量
150
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
NSB8GTHM3/I NEWS
Specifications
类型描述
制造商Vishay General Semiconductor – Diodes Division
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
安装类型Surface Mount
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
技术Standard
电容@Vr, F55pF @ 4V, 1MHz
电流 - 平均整流 (Io)8A
供应商设备包TO-263AB (D2PAK)
工作温度 - 结-55°C ~ 150°C
年级Automotive
电压 - 直流反向 (Vr)(最大)400 V
电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If1.1 V @ 8 A
电流 - 反向漏电流@Vr10 µA @ 400 V
资质AEC-Q101
+86-755-8417 5709