IRFB9N60A
IRFB9N60A
Part number:
IRFB9N60A-ND
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
Vishay / Siliconix
类型
MOSFET N-CH 600
封装
包装
管子
RoHS:
YES
数量
150
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
IRFB9N60A NEWS
Specifications
类型描述
制造商Vishay / Siliconix
系列-
包裹管子
产品状态OBSOLETE
包装/箱TO-220-3
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C9.2A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs750mOhm @ 5.5A, 10V
功耗（最大）170W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id4V @ 250µA
供应商设备包TO-220AB
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）10V
Vgs（最大）±30V
漏源电压 (Vdss)600 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs49 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds1400 pF @ 25 V
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