IRF830S 单 FET、MOSFET_一河电子_One River_集成电路_电容器_电阻器_二极管_三极管_传感器_电感器

类型	描述
制造商	Vishay / Siliconix
系列	-
包裹	管子
产品状态	OBSOLETE
包装/箱	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
安装类型	Surface Mount
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型	N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	4.5A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs	1.5Ohm @ 2.7A, 10V
功耗（最大）	3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id	4V @ 250µA
供应商设备包	TO-263 (D2PAK)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	10V
Vgs（最大）	±20V
漏源电压 (Vdss)	500 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs	38 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds	610 pF @ 25 V