IRF830A 单 FET、MOSFET_一河电子_One River_集成电路_电容器_电阻器_二极管_三极管_传感器_电感器

类型	描述
制造商	Vishay / Siliconix
系列	-
包裹	管子
产品状态	ACTIVE
包装/箱	TO-220-3
安装类型	Through Hole
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型	N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	5A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs	1.4Ohm @ 3A, 10V
功耗（最大）	74W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id	4.5V @ 250µA
供应商设备包	TO-220AB
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	10V
Vgs（最大）	±30V
漏源电压 (Vdss)	500 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs	24 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds	620 pF @ 25 V