IPTC026N12NM6ATMA1
IPTC026N12NM6ATMA1
Part number:
448-IPTC026N12NM6ATMA1TR-ND
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
IR (Infineon Technologies)
类型
TRENCH >=100V
封装
包装
卷带式 (TR)
RoHS:
NO
数量
150
$3.4300
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
1
$6.0500
$6.0500
10
$5.4600
$54.6000
25
$5.2100
$130.2500
100
$4.5200
$452.0000
250
$4.3200
$1,080.0000
500
$3.9400
$1,970.0000
1800
$3.4300
$6,174.0000
IPTC026N12NM6ATMA1 NEWS
Specifications
PDF1
类型描述
制造商IR (Infineon Technologies)
系列OptiMOS™ 6
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱16-PowerSOP Module
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C26A (Ta), 222A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs2.6mOhm @ 115A, 10V
功耗（最大）3.8W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id3.6V @ 169µA
供应商设备包PG-HDSOP-16-2
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）8V, 10V
Vgs（最大）±20V
漏源电压 (Vdss)120 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs88 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds6500 pF @ 60 V
+86-755-8417 5709
lana@oneriverhk.com