ICE20N60B
ICE20N60B
Part number:
5133-ICE20N60BTR-ND
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
IceMOS Technology
类型
Superjunction M
封装
包装
卷带式 (TR)
RoHS:
YES
数量
5750
$2.4600
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
800
$2.4600
$1,968.0000
1600
$2.3100
$3,696.0000
2400
$2.1100
$5,064.0000
3200
$1.9400
$6,208.0000
ICE20N60B NEWS
Specifications
PDF1
类型描述
制造商IceMOS Technology
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C20A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs190mOhm @ 10A, 10V
功耗（最大）236W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id3.9V @ 250µA
供应商设备包TO-263
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）10V
Vgs（最大）±20V
漏源电压 (Vdss)600 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs59 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds2064 pF @ 25 V
+86-755-8417 5709
lana@oneriverhk.com