ICE19N60L
ICE19N60L
Part number:
5133-ICE19N60LTR-ND
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
IceMOS Technology
类型
Superjunction M
封装
包装
卷带式 (TR)
RoHS:
YES
数量
6150
$2.4800
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
3000
$2.4800
$7,440.0000
9000
$2.3200
$20,880.0000
15000
$2.1200
$31,800.0000
21000
$1.9400
$40,740.0000
ICE19N60L NEWS
Specifications
PDF1
类型描述
制造商IceMOS Technology
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱4-PowerTSFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C19A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs220mOhm @ 9.5A, 10V
功耗（最大）236W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id3.9V @ 250µA
供应商设备包4-DFN (8x8)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）10V
Vgs（最大）±20V
漏源电压 (Vdss)600 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs59 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds2064 pF @ 25 V
+86-755-8417 5709
lana@oneriverhk.com