HP8KE6TB1
HP8KE6TB1
Part number:
846-HP8KE6TB1TR-ND
Product_Category
FET、MOSFET 阵列
制造商
ROHM Semiconductor
类型
MOSFET 2N-CH 10
封装
包装
卷带式 (TR)
RoHS:
YES
数量
2608
$1.5200
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
1
$1.5200
$1.5200
10
$1.2600
$12.6000
100
$1.0000
$100.0000
500
$0.8500
$425.0000
1000
$0.7200
$720.0000
2500
$0.6800
$1,700.0000
5000
$0.6600
$3,300.0000
12500
$0.6400
$8,000.0000
HP8KE6TB1 NEWS
Specifications
PDF1
类型描述
制造商ROHM Semiconductor
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerTDFN
安装类型Surface Mount
配置2 N-Channel
工作温度150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
功率 - 最大3W (Ta), 21W (Tc)
漏源电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C6A (Ta), 17A (Tc)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds305pF @ 50V
Rds On（最大）@Id、Vgs54mOhm @ 6A, 10V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs6.7nC @ 10V
Vgs(th)（最大值）@Id2.5V @ 1mA
供应商设备包8-HSOP
+86-755-8417 5709
lana@oneriverhk.com