GT750P10M
GT750P10M
Part number:
4822-GT750P10MTR-ND
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
Goford Semiconductor
类型
MOSFET P-CH 100
封装
包装
卷带式 (TR)
RoHS:
NO
数量
3350
$0.4400
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
800
$0.4400
$352.0000
8000
$0.4300
$3,440.0000
16000
$0.4100
$6,560.0000
32000
$0.3600
$11,520.0000
GT750P10M NEWS
Specifications
PDF1
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C24A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs65mOhm @ 20A, 10V
功耗（最大）79W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id3V @ 250µA
供应商设备包TO-263
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）4.5V, 10V
Vgs（最大）±20V
漏源电压 (Vdss)100 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs40 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds1902 pF @ 50 V
+86-755-8417 5709
lana@oneriverhk.com