GT065P06D5
GT065P06D5
Part number:
3141-GT065P06D5TR-ND
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
Goford Semiconductor
类型
MOSFET P-CH 60V
封装
包装
卷带式 (TR)
RoHS:
NO
数量
3403
$0.6500
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
1
$1.4900
$1.4900
10
$1.2400
$12.4000
100
$0.9800
$98.0000
500
$0.8300
$415.0000
1000
$0.7100
$710.0000
2000
$0.6700
$1,340.0000
5000
$0.6500
$3,250.0000
10000
$0.6300
$6,300.0000
GT065P06D5 NEWS
Specifications
PDF1
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerTDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型P-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C103A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs7mOhm @ 20A, 10V
功耗（最大）178W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id2.5V @ 250µA
供应商设备包8-DFN (4.9x5.75)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）4.5V, 10V
Vgs（最大）±20V
漏源电压 (Vdss)60 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs62 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds5326 pF @ 30 V
+86-755-8417 5709
lana@oneriverhk.com