GT016N10TL
GT016N10TL
Part number:
4822-GT016N10TLTR-ND
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
Goford Semiconductor
类型
MOSFET N-CH 100
封装
包装
卷带式 (TR)
RoHS:
NO
数量
2150
$1.6000
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
2000
$1.6000
$3,200.0000
14000
$1.4700
$20,580.0000
28000
$1.3300
$37,240.0000
GT016N10TL NEWS
Specifications
PDF1
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerSFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C362A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs1.6mOhm @ 15A, 10V
功耗（最大）450W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id4.5V @ 250µA
供应商设备包TOLL
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）10V
Vgs（最大）±20V
漏源电压 (Vdss)100 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs165 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds10037 pF @ 50 V
+86-755-8417 5709
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