GPI65010DF56
GPI65010DF56
Part number:
4025-GPI65010DF56TR-ND
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
GaNPower
类型
GANFET N-CH 65
封装
包装
卷带式 (TR)
RoHS:
YES
数量
433
$5.0000
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
1
$5.0000
$5.0000
GPI65010DF56 NEWS
Specifications
PDF1
类型描述
制造商GaNPower
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱Die
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C10A
Vgs(th)（最大值）@Id1.4V @ 3.5mA
供应商设备包Die
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）6V
Vgs（最大）+7.5V, -12V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs2.6 nC @ 6 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds90 pF @ 400 V
+86-755-8417 5709
lana@oneriverhk.com