G60N06T
G60N06T
Part number:
3141-G60N06T-ND
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
Goford Semiconductor
类型
N60V, 50A,RD<17
封装
包装
管子
RoHS:
NO
数量
163
$0.8000
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
1
$0.8000
$0.8000
50
$0.6600
$33.0000
100
$0.4800
$48.0000
500
$0.4000
$200.0000
1000
$0.3400
$340.0000
2000
$0.3000
$600.0000
5000
$0.2900
$1,450.0000
10000
$0.2700
$2,700.0000
G60N06T NEWS
Specifications
PDF1
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列TrenchFET®
包裹管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-220-3
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C50A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs17mOhm @ 5A, 10V
功耗（最大）85W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id2V @ 250µA
供应商设备包TO-220
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）4.5V, 10V
Vgs（最大）±20V
漏源电压 (Vdss)60 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs50 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds2050 pF @ 30 V
+86-755-8417 5709
lana@oneriverhk.com