G3R75MT12J 单 FET、MOSFET_一河电子_One River_集成电路_电容器_电阻器_二极管_三极管_传感器_电感器

类型	描述
制造商	GeneSiC Semiconductor
系列	G3R™
包裹	管子
产品状态	OBSOLETE
包装/箱	TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
安装类型	Surface Mount
工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
技术	SiCFET (Silicon Carbide)
场效应管类型	N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	42A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs	90mOhm @ 20A, 15V
功耗（最大）	224W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id	2.69V @ 7.5mA
供应商设备包	TO-263-7
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	15V
Vgs（最大）	±15V
漏源电压 (Vdss)	1200 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs	54 nC @ 15 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds	1560 pF @ 800 V