G3K8N15HE
G3K8N15HE
Part number:
4822-G3K8N15HETR-ND
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
Goford Semiconductor
类型
MOSFET N-CH ESD
封装
包装
卷带式 (TR)
RoHS:
NO
数量
5150
$0.1100
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
2500
$0.1100
$275.0000
15000
$0.1000
$1,500.0000
30000
$0.0900
$2,700.0000
G3K8N15HE NEWS
Specifications
PDF1
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-261-4, TO-261AA
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C2A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs370mOhm @ 2A, 10V
功耗（最大）2.16W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id2.5V @ 250µA
供应商设备包SOT-223
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）4.5V, 10V
Vgs（最大）±20V
漏源电压 (Vdss)150 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs20 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds558 pF @ 75 V
+86-755-8417 5709
lana@oneriverhk.com