G2K2P10D3E
G2K2P10D3E
Part number:
3141-G2K2P10D3ETR-ND
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
Goford Semiconductor
类型
MOSFET P-CH ESD
封装
包装
卷带式 (TR)
RoHS:
NO
数量
5120
$0.5800
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
1
$0.5800
$0.5800
10
$0.4900
$4.9000
100
$0.3400
$34.0000
500
$0.2700
$135.0000
1000
$0.2200
$220.0000
2000
$0.1900
$380.0000
5000
$0.1800
$900.0000
10000
$0.1700
$1,700.0000
25000
$0.1700
$4,250.0000
50000
$0.1600
$8,000.0000
G2K2P10D3E NEWS
Specifications
PDF1
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerVDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型P-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C10A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs210mOhm @ 6A, 10V
功耗（最大）31W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id2.5V @ 250µA
供应商设备包8-DFN (3.15x3.05)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）4.5V, 10V
Vgs（最大）±20V
漏源电压 (Vdss)100 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs33 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds1668 pF @ 50 V
+86-755-8417 5709
lana@oneriverhk.com