G090P02S
G090P02S
Part number:
3141-G090P02STR-ND
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
Goford Semiconductor
类型
MOSFET P-CH 20
封装
包装
卷带式 (TR)
RoHS:
NO
数量
4150
$0.5700
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
1
$0.5700
$0.5700
10
$0.4900
$4.9000
100
$0.3400
$34.0000
500
$0.2600
$130.0000
1000
$0.2100
$210.0000
2000
$0.1900
$380.0000
4000
$0.1900
$760.0000
8000
$0.1800
$1,440.0000
12000
$0.1700
$2,040.0000
28000
$0.1700
$4,760.0000
G090P02S NEWS
Specifications
PDF1
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C11A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs119mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th)(最大值)@Id1.1V @ 250µA
供应商设备包8-SOP
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)2.5V, 4.5V
Vgs(最大)±20V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs47 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds2225 pF @ 10 V
+86-755-8417 5709