FESB8DT-M3/I 单二极管_一河电子_One River_集成电路_电容器_电阻器_二极管_三极管_传感器_电感器

Specifications

PDF1

类型	描述
制造商	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
系列	-
包裹	卷带式 (TR)
产品状态	ACTIVE
包装/箱	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
安装类型	Surface Mount
速度	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间 (trr)	35 ns
技术	Standard
电容@Vr, F	85pF @ 4V, 1MHz
电流 - 平均整流 (Io)	8A
供应商设备包	TO-263AB (D2PAK)
工作温度 - 结	-55°C ~ 150°C
年级	Automotive
电压 - 直流反向 (Vr)（最大）	200 V
电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	950 mV @ 8 A
电流 - 反向漏电流@Vr	10 µA @ 200 V
资质	AEC-Q101