FESB16GTHM3/I
FESB16GTHM3/I
Part number:
112-FESB16GTHM3/ITR-ND
Product_Category
单二极管
制造商
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
类型
DIODE GEN PURP
封装
包装
卷带式 (TR)
RoHS:
YES
数量
150
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
FESB16GTHM3/I NEWS
Specifications
类型描述
制造商Vishay General Semiconductor – Diodes Division
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
安装类型Surface Mount
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间 (trr)50 ns
技术Standard
电容@Vr, F175pF @ 4V, 1MHz
电流 - 平均整流 (Io)16A
供应商设备包TO-263AB (D2PAK)
工作温度 - 结-65°C ~ 150°C
年级Automotive
电压 - 直流反向 (Vr)(最大)400 V
电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If1.3 V @ 16 A
电流 - 反向漏电流@Vr10 µA @ 400 V
资质AEC-Q101
+86-755-8417 5709