FBG20N18BSH
FBG20N18BSH
Part number:
4107-FBG20N18BSH-ND
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
EPC Space
类型
GAN FET HEMT 20
封装
包装
散装
RoHS:
YES
数量
201
$392.7500
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
1
$392.7500
$392.7500
10
$377.9900
$3,779.9000
FBG20N18BSH NEWS
Specifications
PDF1
类型描述
制造商EPC Space
系列e-GaN®
包裹散装
产品状态ACTIVE
包装/箱4-SMD, No Lead
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C18A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs28mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th)（最大值）@Id2.5V @ 3mA
供应商设备包4-SMD
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）5V
Vgs（最大）+6V, -4V
漏源电压 (Vdss)200 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs7 nC @ 5 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds900 pF @ 100 V
+86-755-8417 5709
lana@oneriverhk.com