EPC2212 单 FET、MOSFET_一河电子_One River_集成电路_电容器_电阻器_二极管_三极管_传感器_电感器

类型	描述
制造商	EPC
系列	eGaN®
包裹	卷带式 (TR)
产品状态	NOT_FOR_NEW_DESIGNS
包装/箱	Die
安装类型	Surface Mount
工作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
技术	GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型	N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	18A (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs	13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th)（最大值）@Id	2.5V @ 3mA
供应商设备包	Die
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	5V
Vgs（最大）	+6V, -4V
漏源电压 (Vdss)	100 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs	4 nC @ 5 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds	407 pF @ 50 V