EPC2108 FET、MOSFET 阵列_一河电子_One River_集成电路_电容器_电阻器_二极管_三极管_传感器_电感器

类型	描述
制造商	EPC
系列	eGaN®
包裹	卷带式 (TR)
产品状态	OBSOLETE
包装/箱	9-VFBGA
安装类型	Surface Mount
配置	3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
工作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
技术	GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压 (Vdss)	60V, 100V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	1.7A, 500mA
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds	22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Rds On（最大）@Id、Vgs	190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs	0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th)（最大值）@Id	2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
供应商设备包	9-BGA (1.35x1.35)