Part number:
917-1015-2-ND
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
EPC
类型
GANFET N-CH 100
封装
包装
卷带式 (TR)
RoHS:
NO
数量
150
EPC2007
$0.9300
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
1000
$0.9300
$930.0000
2000
$0.8900
$1,780.0000
5000
$0.8500
$4,250.0000
10000
$0.8300
$8,300.0000
EPC2007 NEWS
Specifications
PDF1
PDF2
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | EPC |
| 系列 | eGaN® |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | OBSOLETE |
| 包装/箱 | Die |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| 技术 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 30mOhm @ 6A, 5V |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.5V @ 1.2mA |
| 供应商设备包 | Die |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 5V |
| Vgs（最大） | +6V, -5V |
| 漏源电压 (Vdss) | 100 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 2.8 nC @ 5 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 205 pF @ 50 V |
