CGD65B200S2-T13
CGD65B200S2-T13
Part number:
4768-CGD65B200S2-T13TR-ND
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
Cambridge GaN Devices
类型
650V GAN HEMT,
封装
包装
卷带式 (TR)
RoHS:
NO
数量
4505
$4.5500
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
1
$4.5500
$4.5500
10
$3.8200
$38.2000
100
$3.0900
$309.0000
500
$2.7500
$1,375.0000
1000
$2.3500
$2,350.0000
2000
$2.2100
$4,420.0000
5000
$2.1300
$10,650.0000
CGD65B200S2-T13 NEWS
Specifications
PDF1
类型描述
制造商Cambridge GaN Devices
系列ICeGaN™
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerVDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C8.5A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs280mOhm @ 600mA, 12V
场效应管特性Current Sensing
Vgs(th)（最大值）@Id4.2V @ 2.75mA
供应商设备包8-DFN (5x6)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）9V, 20V
Vgs（最大）+20V, -1V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs1.4 nC @ 12 V
+86-755-8417 5709
lana@oneriverhk.com