CGD65A130S2-T13
CGD65A130S2-T13
Part number:
4768-CGD65A130S2-T13TR-ND
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
Cambridge GaN Devices
类型
650V GAN HEMT,
封装
包装
卷带式 (TR)
RoHS:
NO
数量
3502
$3.3200
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
1
$6.2500
$6.2500
10
$5.3600
$53.6000
100
$4.4600
$446.0000
500
$3.9400
$1,970.0000
1000
$3.5500
$3,550.0000
3500
$3.3200
$11,620.0000
CGD65A130S2-T13 NEWS
Specifications
类型描述
制造商Cambridge GaN Devices
系列ICeGaN™
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱16-PowerVDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C12A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs182mOhm @ 900mA, 12V
场效应管特性Current Sensing
Vgs(th)（最大值）@Id4.2V @ 4.2mA
供应商设备包16-DFN (8x8)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）12V
Vgs（最大）+20V, -1V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs2.3 nC @ 12 V
+86-755-8417 5709
lana@oneriverhk.com