CDF56G6511N TR13 PBFREE 单 FET、MOSFET_一河电子_One River_集成电路_电容器_电阻器_二极管_三极管_传感器_电感器

Specifications

PDF1

类型	描述
制造商	Central Semiconductor
系列	-
包裹	卷带式 (TR)
产品状态	ACTIVE
包装/箱	8-PowerVDFN
安装类型	Surface Mount, Wettable Flank
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
技术	GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型	N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	11.5A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs	190mOhm @ 3.9A, 6V
功耗（最大）	1.1W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id	2.5V @ 12.2mA
供应商设备包	8-DFN (5x6)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	6V
Vgs（最大）	+7V, -1.4V
漏源电压 (Vdss)	650 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs	2.8 nC @ 6 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds	96 pF @ 400 V