BY25Q80BSMIG(R)
BY25Q80BSMIG(R)
Part number:
5369-BY25Q80BSMIG(R)TR-ND
Product_Category
记忆
制造商
BYTe Semiconductor
类型
8 MBIT, 3.0V (2
封装
包装
卷带式 (TR)
RoHS:
NO
数量
30150
$0.1800
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
1
$0.5100
$0.5100
10
$0.4400
$4.4000
25
$0.4100
$10.2500
100
$0.3300
$33.0000
250
$0.3000
$75.0000
500
$0.2600
$130.0000
1000
$0.2000
$200.0000
3000
$0.1800
$540.0000
6000
$0.1700
$1,020.0000
15000
$0.1600
$2,400.0000
30000
$0.1500
$4,500.0000
BY25Q80BSMIG(R) NEWS
Specifications
PDF1
类型描述
制造商BYTe Semiconductor
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-UFDFN Exposed Pad
安装类型Surface Mount
内存大小8Mbit
内存类型Non-Volatile
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
电压 - 电源2.7V ~ 3.6V
技术FLASH - NOR (SLC)
时钟频率108 MHz
内存格式FLASH
供应商设备包8-USON (2x3)
写入周期时间 - 字、页50µs, 2.4ms
内存接口SPI - Quad I/O, QPI
存取时间7 ns
记忆组织1M x 8
+86-755-8417 5709
lana@oneriverhk.com