BY25Q128ESWIG(R)
BY25Q128ESWIG(R)
Part number:
5369-BY25Q128ESWIG(R)TR-ND
Product_Category
记忆
制造商
BYTe Semiconductor
类型
128 MBIT, 3.0V
封装
包装
卷带式 (TR)
RoHS:
NO
数量
3149
$0.6700
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
1
$1.5700
$1.5700
10
$1.4000
$14.0000
25
$1.3300
$33.2500
100
$1.0900
$109.0000
250
$1.0200
$255.0000
500
$0.9000
$450.0000
1000
$0.7100
$710.0000
3000
$0.6700
$2,010.0000
6000
$0.6300
$3,780.0000
15000
$0.6100
$9,150.0000
BY25Q128ESWIG(R) NEWS
Specifications
PDF1
类型描述
制造商BYTe Semiconductor
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-WDFN Exposed Pad
安装类型Surface Mount
内存大小128Mbit
内存类型Non-Volatile
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
电压 - 电源2.7V ~ 3.6V
技术FLASH - NOR (SLC)
时钟频率120 MHz
内存格式FLASH
供应商设备包8-WSON (5x6)
写入周期时间 - 字、页60µs, 2.4ms
内存接口SPI - Quad I/O
存取时间7.5 ns
记忆组织16M x 8
+86-755-8417 5709
lana@oneriverhk.com